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三星研發出1GB全緩衝雙列直插式記憶體模組

上網時間: 2004年12月01日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:緩衝  記憶體模組  FB DIMM  伺服器  工作站 

三星電子(Samsung Electronics)研製出採用DDR2技術的1GB全緩衝雙列直插式記憶體模組(FB DIMM),該公司聲稱與寄存式DIMM相較,該技術將提升記憶體密度和頻寬,以改進伺服器工作站的資料處理。

三星半導體技術市場資深副總裁Jon Kang表示:「我們相信,我們的FB DIMM解決方案將被其他的記憶體市場所接納,並成為最廣泛普及的技術。」目前,每通道記憶體插槽存取的速率隨著記憶體匯流排速度增加而減少,導致密度隨通道速度增加而受到限制。FB DIMM採用點對點鏈接,使多個記憶體模組能被串列連接到指定的通道上,消除了這種「stub-bus」通道瓶頸。

每個模組上添加了一片記憶體緩衝晶片,促成了高低速介面的使用。該緩衝能產生3.2Gbps至4.8Gbps的速度,比DIMM中的DRAM快6倍。 三星表示將在2005年上半年開始量產FB DIMM。





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