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英特爾開發出首枚全矽雷射晶片 讓矽和光電可望整合

上網時間: 2005年01月18日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Intel  英特爾  silicon-opto  矽雷射  Raman 

英特爾(Intel)日前聲稱開發出首枚全矽雷射晶片,該公司的開發小組透過採用激發式拉曼散射(stimulated Raman scattering),排除了通常會導致雷射器高效發光的矽間接能帶隙的干擾,產生了足夠的光增益(達11dB),使雷射發射成功,透過向片上矽波充入0.4微瓦的能量,該小組取得了足夠的增益,在1,669.5奈米波長觸發了100納秒的雷射脈衝。

「有了這樣的元件,我們就得以論証矽和光電的真正整合,」英特爾公司光技術總監Mario Paniccia表示。「為了克服矽晶片間接能帶隙的問題,目前的雷射開發人員求助於各種材料,如砷化鉀和磷化銦。如果能研製出一種能回避矽不發出雷射的結構,開發人員將會放棄這些昂貴的材料,而使用便宜的矽,」Paniccia表示

為了能研製出與標準CMOS加工設備相容的整合光元件,英特爾的研究人員提議在矽中採用激發式拉曼散射,這種散射利用材料的內部振動來放大光訊號,目前在採用砷化鉀的光學系統中普遍使用。

(R. Colin Johnson)





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