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SOT-89封裝FET可提升50MHz∼6GHz基地台通道容量

上網時間: 2005年02月23日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:安捷倫  Agilent  增強模式虛擬形態高電子遷移率電晶體  E-pHEMT  場效應管 

安捷倫科技(Agilent Technologies)日前為其高線性度增強模式虛擬形態高電子遷移率電晶體(E-pHEMT)場效應管(FET)系列產品增加兩個新成員,分別是ATF-52189和ATF-53189,新產品採用4.5×4.1×1.5mm的SOT-89產業標準表面封裝,有助於簡化將50MHz∼6GHz基地台升級到更高通道容量的工作。

ATF-52189和ATF-53189是為發射器的功率放大器器和接收器的低雜訊放大器而設計,可以用於工作頻率在450MHz∼6GHz的蜂巢式和PCS基地台、低地面軌道衛星系統、陸上多通道多點分佈系統(MMDSs)及其它通訊應用領域。

ATF-52189在2GHz時,其三階輸出截取點(OIP3)為42dBm,能夠處理大量的語音和資料通道。在2GHz時,其它技術參數包括27dBm的典型線性輸出功率(P1dB)、16dB的增益和55%的功率加效率(PAE)以及1.5dB的雜訊係數等。典型工作偏置在200mA時為4.5V。因此,適用於中等功率、高線性度的發射器驅動器或預驅動放大器。

ATF-53189具有更低的雜訊係數(0.85dB) ,40dBm的OIP3, 23dBm的P1dB, 15.5dB的增益和46%的PAE。典型工作偏置在135mA時為4.0V,適用於接收器前端階段低雜訊、高線性度放大器,也適用於中等功率、高線性度發射器驅動器或預驅動放大器。

ATF-52189和ATF-53189採用E-pHEMT製程,具有良好的性能一致性和300年以上的單點平均故障間隔時間(MTTF)。這些元件採用無接腳封裝,額定的潮濕靈敏度等級為1級(MSL1)。上述兩款新產品有現貨供應。





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