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台積電針對90奈米平台提供更多DFM建議

上網時間: 2005年05月18日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:DFM recommendations  90奈米  90nm  可製造性設計  金屬沈積 

在日前舉行的台積電(TSMC)2005年技術研討會上,該公司的高層透露,將為採用90奈米設計規則的工程師提供更多的可製造性設計(design-for-manufacturing,DFM)建議方案。該公司DFM計畫負責人James Wang透露,此次新公佈的6條指導建議採用台積電2004年的技術研討會上所提出的建議,並延伸到了90奈米平台。

該公司表示,其中最重要的改變是金屬沈積(metal deposition),晶片的金屬沈積必須要相對均衡一致,防止進行到化學機械拋光(chemical-mechanical polishing)步驟時出現凹陷和其它問題。「在量產階段,虛擬填充(dummy fill)建議最為重要,」Wang表示。

而新的金屬密度規則包括:避免任何非金屬區域大於3平方微米。DFM建議要維持5平方微米的氧化物區域頂部的金屬寬度等於或者大於0.16微米,而DFM規則是0.14微米。為了實現較為均勻的金屬密度,台積電提供在低金屬密度區域使用插入虛擬金屬刻線(dummy metal lines)的方法。

另外在封裝上,該公司則提供一個圖形評估工具,以消除「熱點(hot spots)」。台積電還開發出一種良品率靈敏度分析儀,可以檢查穿孔、內連和多晶矽開路和短路,以及其它可能的問題。

台積電還提供一種微影製程檢查(lithography process check,LPC)工具,這是一種採用模擬的環境,能進行有可能引起良品率問題的圖形設計分析。LPC製程將晶圓和光罩檢查工具與LPC模擬器鏈接起來。台積電還改進了其光學逼近校正(optical proximity correction,OPC)標準,以確保良品率高的可預測圖形。遵守OPC具親和性的指示能縮短光罩製造周期時間達10%。

據台積電發言人透露,相關這些建議的更詳細內容登載於台積電網站上,但只有該公司的客戶才可以憑密碼取得其內容。(原文連結處:TSMC expands DFM recommendations at 90nm)

(David Lammers)





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