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GaAs仍主導RF放大器領域 CMOS前景未定

上網時間: 2005年06月21日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:GaAs  砷化鎵  CMOS  RF  射頻 

參加微波技術與製程研討會(MTT-S,Microwave Technology and Techniques Symposium)的一個討論小組指出,RF CMOS可能還未進入所謂的全盛時期,至少是在手機功率放大器領域,而砷化鎵(GaAs)將繼續在該領域處於主導地位。諾基亞的RF工程與技術經理Fazal Ali估計,2004年手機出貨量約為6.645億部,每部電話中有兩或三個放大器,總計接近20億個。他要大家思考一下,這些功率放大器(PA)中有多少是CMOS呢?顯然其暗示的答案是「不太多」。

來自HVVi公司的Mike Golio表示,大家要看的應該是未來的使用狀況。該討論小組還考慮了在手機中取代GaAs的可能性,以及CMOS PA能否最終主宰手機市場。另一個問題則是,將來它們是否能與化合物半導體製程或矽雙載子結式電晶體共存。

討論小組認為,RF CMOS和GaAs不是同一類東西。作為分離電晶體,GaAs是非常有效率的天線驅動器和功率放大器,具有非常好的RF性能。Golio表示,RF CMOS作為一種整合技術受到青睞,因為該特色可能使RF收發器能夠與基頻處理器共存。但這種情形如何及何時出現,甚至連CMOS的鼓吹者也說不上來。

來自GaAs電晶體製造商Anadigics的Aditya Gupta堅稱,RF CMOS是「空頭支票」,可能永遠也達不到GaAs的性能水平,除非放大器是採用0.25微米製程製造的,這時候無法匹配利用0.18和0.13微米製程製造的普通基頻處理器。

Gupta並認為,CMOS手機放大器市場沒有什麼可獲得成功的商機。製造GaAs和矽分離元件模組的Skyworks Solutions公司之Pete Zampard補充說,「CMOS不能夠滿足我們所需要的規格。」

對CMOS最有力的論證則來自加州理工學院的教授Ali Hajimari。他說,CMOS的整合性已經顯示,它在藍芽和許多Wi-Fi應用中具有很好的性能價格比。他承認,CMOS可能在接收器領域取得比在發射器領域更大的進展,但他不願對整合目標放棄希望。

另外,參加討論的專家一致認為,GaAs、RF CMOS和BiCMOS (以SiGe作為雙載子摻雜)可能將在未來的許多系統中共存。(原文連結處:GaAs still beats CMOS for RF amplifiers, experts say)

(Stephan Ohr)





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