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Sony與東芝合作開發出45奈米嵌入式DRAM

上網時間: 2005年06月24日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Sony  Toshiba  東芝  embedded DRAM  嵌入DRAM 

日本Sony與東芝(Toshiba)公司日前宣佈,透過把嵌入DRAM單元(embedded DRAM cell)縮小至0.069平方微米,雙方合作開發出了第一個45奈米嵌入DRAM單元。雙方在日本東京舉行的2005 VLSI研討會上發表的一篇論文介紹了上述成果。

Sony與東芝聯合開發了90奈米和65奈米製程技術,東芝將其分別稱為CMOS4和CMOS5。雙方的合作目前處於第三階段,正開發45奈米製程技術。東芝把這項技術命名為「CMOS6」,但Sony並沒有採用這個名字。

為了滿足高性能系統晶片LSI的要求,兩家公司開發了採用深通道的嵌入DRAM技術,將之作為重要的晶片上記憶體。當嵌入式DRAM縮小後,深通道的電容器就會下降。為了對此進行補償,研究組導入了一種瓶子蝕刻(bottle etching)製程,同時採用一種名為「LOCOS collar」的結構,這樣就能形成一個形狀象瓶子似的通道。

上述的通道很寬,但出口較窄,因而擴大了通道的表面積,並提高了電容器。除了把通道做成瓶子形狀以外,還用High K節點絕緣材料(Al2O3)代替了傳統的氮-氧絕緣。

東芝半導體(Toshiba Semiconductor)旗下System LSI部門的研究員Tomoya Sanuki表示:「如果這些技術用於CMOS5 (65奈米一代),電容器可以改善60%。也就是說,如果電容器達到與CMOS5一樣的水平,我們就能夠把CMOS6的通道做得更小。」

Sony和東芝在45奈米製程開發方面投入了大約200億日元的資金。來自這兩家公司大約150名工程師在東芝的研發中心和大分工廠工作,計畫在2007年3月以前開發出45奈米一代的關鍵技術。





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