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SEZ和Air Liquide為金屬柵極材料開發蝕刻方案

上網時間: 2005年07月14日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:SEZ  SEZ Group  Air Liquide  金屬柵極材料  蝕刻 

針對半導體產業提供單晶圓清潔解決方案的SEZ Group與工業和醫用氣體及相關服務供應商Air Liquide日前宣佈,雙方正合作解決與前端線(front-end-of-line,FEOL)先進金屬柵極蝕刻相關的化學難題。據稱用在45奈米技術上的High k柵極電介質和先進的金屬柵極電極會引起大量的處理難題,其中包括除去背面和斜面多餘沈積薄膜中的金屬電極材料。

受到與原子層沈積(ALD)領先廠商Aviza Technology獨立卻互補的聯合開發計畫之推動,SEZ和Air Liquide將聯合開發一種用於先進蝕刻材料的增效解決方案。該蝕刻材料將以最低成本(lowest cost of ownership,CoO)為晶片製造商提供最佳的性能。

原子層沈積和化學氣相沈積技術的一個副作用是薄膜材料沈積在晶圓背面。薄膜所帶來的污染可以透過共享的處理傳給其他晶圓,同時,這些薄膜自身還有可能分層和剝落,因而引起嚴重的微粒問題。因此,背面和斜邊的任何薄膜材料都必須清除。問題在於這種材料很難進行濕蝕刻,特別是在可以任意選擇基礎材料層的情況下。





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