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IR發表新款同步降壓轉換器晶片組

上網時間: 2005年07月27日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:國際整流器  IR  IRF6621  IRF6612  同步降壓轉換器 

國際整流器(International Rectifier,IR)推出IRF6621IRF6612同步降壓轉換器晶片組,該公司表示,新款30V DirectFET MOSFET晶片組,是特別為每相14A至18A的DC-DC功率轉換而設計,其小體積、高效率和可改善導熱效能的特性,適用配備最新Intel和AMD處理器的輕薄型高階筆記型電腦。

IR的新款晶片組包含IRF6621控制MOSFET和IRF6612同步MOSFET,兩項元件能在同步DC-DC降壓轉換器電路中展現高性能。控制MOSFET可有效減少交換損耗,同步MOSFET則具有低傳導損耗(低通態電阻)、低逆向恢復電荷等特性。新晶片組可在每相18A的環境下達到87%以上的效率;在每相10A的中電流水平下,更可達到90%以上的效率。

IRF6621的Qg和Qgd分別低至11nC和3.8nC,適合用做控制場效應管(FET)。該元件的通態電阻-閘電荷(108mOhm-nC)較IR原有的30VN元件(IRF6608,128mOhm-nC)減少了15%,並且採用小型罐式(SQ) DirectFET封裝,體積較標準SO-8封裝約小38%。

IRF6612典型的4.5V RDS(on)只有3.4mOhm,適合在中度電流應用(每功率通道14A至18A)中做為同步場效應管,該元件同樣採用中型罐式(MX) DirectFET封裝。IRF6612和IRF6621 DirectFET MOSFET現在已開始供貨。





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