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Q2全球晶圓廠產能利用率微升

上網時間: 2005年08月29日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:晶圓代工  產能  利用率  晶圓廠  Fab 

雖然晶圓代工領域的產能利用率仍然低迷,但是2005年第二季全球晶圓廠的產能利用率微幅上升。國際半導體產能統計組織(SICAS)表示,第二季整體IC晶圓產能利用率為88.8%,高於2005年第一季的84.8%,但低於去年同期的95.4%。

換算成200mm晶圓,第二季全球每週初制晶圓(wafer start)產量為154萬個,比第一季的150.8萬個成長2.1%。去年同期,每週初制晶圓的產量為140.6萬個。

儘管特許半導體(Chartered)、中芯國際(SMIC)、台積電(TSMC)和聯電(UMC)等晶圓代工廠商的情況有所改善,但整體晶圓代工產業的產能利用率仍然不高。第二季整體晶圓代工領域的產能利用率從第一季的75.2%升至83%,但低於去年同期的99.4%。整體晶圓代工領域每週初制晶圓產量為25.24萬個,第一季和去年同期分別為23.27萬和18.87萬個。

第二季300mm產能的利用率為90.7%,低於第一季的92.8%和去年同期的95.7%。第二季300mm初制晶圓的每週產量為22.55萬個,第一季和去年同期分別為20.36萬和11.52萬個。從製程方面來看,0.2-0.3微米製程的產能利用率為79%,而小於0.12微米的先進製程的產能利用率則達95.4%。第二季小於0.12微米的先進製程的產能利用率低於第一季的96%,但每週初制晶圓產量為32.88萬個,高於第一季的28.85萬個。





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