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功率技術/新能源  

銅銦硒化鎵光電性能獲得確認 可最佳化光電效率

上網時間: 2005年11月16日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:太陽能薄膜材料  thin-film  solar energy  銅銦硒化鎵  光電 

HelioVolt公司與美國國家可更新能源實驗室(National Renewable Energy Laboratory)近日聯合發佈了一項實驗結果,據稱該公司於今年1月份預測的銅銦硒化鎵(copper indium gallium selenide-based,CIGS)光電性能得到了確認。

HelioVolt是成立四年的薄膜光電發配材料開發商,該公司的CEO Billy Stanbery表示,被稱為「Intra-Absorber Junction」的模型提供了CIGS薄膜實體的基本概念。該公司還進一步聲稱,此模型是朝向太陽能產品商業化的一大進展。

盡管材料成本較低,CIGS光電材料傳統上因為研究和投資的緣故而落後於矽。雖然其高性能特色在小面積單元和大面積模組內均很明顯,CIGS光電材料的先進設計和商業化受到對該材料缺乏基礎認知的阻礙。

HelioVolt稱,Stanbery的一個關鍵模型預測得到確認。該模型肯定了CIGS的性能歸因於一個名為「自發奈米建構(spontaneous nanostructuring)」過程,透過此一過程,CIGS吸收層的材料在原子級自我進行排列,以最佳化光電效率。





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