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英特爾針推出90奈米MLC NOR快閃記憶體

上網時間: 2005年11月21日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:英特爾  Intel  90奈米  多層單元  Multi-Level Cell 

英特爾(Intel)宣佈開始量產供應業界一款90奈米多層單元(Multi-Level CellMLC) NOR快閃記憶體Intel StrataFlash Cellular Memory (M18)元件,它可提供較先前130奈米版本元件更快的效能、更高的密度,以及更低的耗電量,以滿足具有相機、彩色螢幕、Web瀏覽與影片播放等多功能手機的需求。

M18提供最快的讀取速度,使新款快閃記憶體達到與新一代手機晶片組一樣的133MHz匯流排時脈。由於晶片組與記憶體之間的互動速度較130奈米版本的元件高,更符合使用者應用的需求,其寫入速度每秒0.5MB,能支援3百萬畫素相機與MPEG4格式的影片。

相較與於其前一代的產品,M18編程時消耗的電力只有其三分之一,刪除資料時消耗的電力只有二分之一,並提供新開發的Deep Power Down運作模式,以提高電池續航力。M18亦提升了NOR快閃元件密度,單晶片解決方案可達256Mb與512Mb的容量,結合NOR與RAM的標準堆疊式封裝解決方案可達1Gb,並有助於改善OEM廠商的上市時程與供應通路的彈性。

英特爾現正與ADI、飛利浦、英飛凌、Agere,以及聯發科等各大手機晶片組廠商合作,並和Symbian與MontaVista等作業系統廠商合作,以協助其產品可支援90奈米的M18系列產品。英特爾目前已爭取到包括NEC與Sony Ericsson在內的八家手機OEM廠商採用其元件。

此外,為協助研發業者加速整合與推出新款手持裝置,英特爾推出免權利金的新一代Intel Flash Data Integrator (Intel FDI)軟體。Intel FDI v7.1提供一套開放式架構,讓業者能輕易整合快閃檔案系統與即時作業系統,以及可掛載USB、支援Multi-volume與RAM緩衝區等三項新功能。





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