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三星推出的8GB容量FB-DIMM針對高階伺服器應用

上網時間: 2005年12月14日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Samsung  FB-DIMM  R-DIMM  高階伺服器  全緩衝雙列記憶體模組 

三星電子(Samsung Electronics)日前宣佈開發出8GB FB-DIMM (全緩衝雙列記憶體模組)記憶體。FB-DIMM是一種新的記憶體互連技術,主要應用於高階伺服器以及工作站,包括Intel、HP和Dell等大PC廠商都表示了對該架構的支持。

全緩衝雙列記憶體模組(FB-DIMM)的構造突破了以前每條通道2∼4個模組容量的限制,達到8個模組(module),且速度不會減慢。這種新的架構還可以透過高級記憶體緩衝記憶體(AMB)晶片與系統中的每個模組進行點對點連接,以相同的速度處理更多的資料。

此外,FB-DIMM將記憶體通道轉變為串列介面,並且由記憶體緩衝器取代DIMM暫存器。在特色方面作出進一步的改進,支援更高容量,提供更強性能。因此,伺服器市場對高密度DRAM (動態隨機記憶體)的需求量將可望在今後明顯增加。此次推出8GB FB-DIMM記憶體,將使伺服器充分利用擴充記憶體支援,從高儲存密度和頻寬中受益,大幅的擴充性能。

FB-DIMM在現有DRAM模組增加一個AMB (高級記憶體緩衝記憶體)晶片,因而使模組中的DRAM能夠透過AMB晶片與系統互相傳送。目前FB-DIMM架構標準被JEDEC (電子產業聯盟的半導體產業標準化組織)所採用,設計者在設計下一代DRAM系統時,可以在R-DIMM和FB-DIMM之間進行自由選擇。





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