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採用InSb技術的量子井電晶體獲新進展

上網時間: 2005年12月14日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:量子井  電晶體  quantum  quantum-well transistor  transistor 

奠基於摩爾定律(Moore's Law)下,期使其效用能夠延展到下一個十年,英特爾(Intel)與QinetiQ兩家公司日前宣佈,採用銻化銦(indium antimonide,InSb)技術已使還在育成階段的量子井(quantum-well)電晶體研究獲得重大突破。

在國際電子元件大會(International Electron Devices Meeting,IEDM)上,英特爾透露,已研製出閘長僅有85奈米的InSb量子井電晶體。英特爾元件研究總監Ken David表示,該電晶體是增強型的元件。早在2004年,英特爾與QinetiQ曾公佈了類似的一款量子電晶體,閘長為200nm,也使用了InSb材料,為耗散型元件。

InSb由周期表的III族和V族元素組成。據QinetiQ公司表示,InSb具有超越任何半導體材料的電子遷移率、電子速率和彈道長度,使其成為製造高速、低功率、低雜訊電晶體和電路的潛在的理想材料。

英特爾聲稱,該技術可被視為邁入下一個十年中期階段的新型材料。在最新的成果中,雙方表示,新電晶體工作電壓僅有0.5V,內在速度超過300GHz。該技術據稱比目前持續發展中的矽MOSFET直流功耗少6到10倍。

(Mark LaPedus)





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