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Intel宣佈成功產出45奈米製程晶片

上網時間: 2006年02月06日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:英特爾  Intel  SRAM  D1D  Fab 32 

英特爾(Intel)宣佈成功運用45奈米(nm)邏輯製程技術,產出第一顆SRAM晶片;該公司的45奈米製程技術,號稱可讓晶片的漏電率降低五倍以上,有助於提高行動裝置的電池續航力,提供業者開發體積更小、性能更強的平台。

每一顆45奈米SRAM晶片內含超過10億個電晶體,英特爾表示,雖然SRAM並非該公司的產品線,但成功地示範了推動採用45奈米製程的處理器以及其他邏輯晶片時,所需要的技術效能、製程良率以及晶片的可靠度。

英特爾將於2007年開始以12吋晶圓製造45奈米製程新晶片;除了目前在位於奧勒崗州的D1D晶圓廠正開始發展45奈米製程技術的產能,該公司同時也表示正在興建位於亞歷桑那州的Fab 32以及以色列的Fab 28晶圓廠,以在未來運用45奈米製程技術生產晶片。

目前英特爾的65奈米製程技術已經開始量產,除有亞歷桑那州與奧勒岡州兩座晶圓廠,愛爾蘭與奧勒岡州的另外兩座晶圓廠,也將於今年開始啟動生產線。




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