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聯電與Impinj共推0.18與0.13微米製程的邏輯NVM核心

上網時間: 2006年03月07日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:聯電  UMC  Impinj  CMO  AEONR 

聯電(UMC)與美商Impinj公司共同宣佈,雙方將策略性結盟,針對聯電的0.18微米與0.13微米CMOS製程技術,共同推出Impinj公司的AEONR嵌入式非揮發性記憶體(NVM)核心產品群。

Impinj公司的AEON非揮發性記憶體核心無需額外的光罩或是製程步驟,便可與聯電的標準邏輯CMOS製程結合,讓採用AEON記憶體的客戶得以縮短其系統單晶片設計上市的時程。

聯電與Impinj公司將會合作於聯電0.18微米與0.13微米製程節點進行AEON、MTP與AEON、HV產品群的驗證。這些產品提供了一個真實的多次可編程非揮發性記憶體,編程循環可達十萬次,支援高電壓I/O,10年資料儲存期,而位元數(bit count)可由8位元到最高8000位元。




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