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Simucad發佈LDMOS和HV MOS緊密Spice模型

上網時間: 2006年03月31日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:金屬氧化物半導體  LDMOS  HV MOS  Spice模型  models 

EDA供應商Simucad Design Automation表示,將針對其SmartSpice類比模擬器和SmartSpiceRF諧波模擬器提供LDMOSHV MOS緊密Spice模型。LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)採用由飛利浦研究實驗室開發的LDMOS緊密模型,這是高電壓和RF應用的專用模型。而HV MOS緊密模型則是以加州大學的BSIM3為基礎。

Simucad CEO Ivan Pesic在一項聲明中表示:「對於LDMOS和高壓MOS電晶體沒有必要使用繁瑣的巨集模型。這些緊密模型和我們單一供應商的電路模擬環境在電源、功率管理和板驅動電路設計上提供了較高的精確度、伸縮性、整合性和性能。」

Simucad表示,LDMOS和HV MOS模型能滿足未來幾年內高電壓類比與RF IC設計人員的需求,緊密模型能精確且高效地模擬LDMOS、垂直擴散功率MOS (VDMOS)、EDMOS (extended-drain MOS)與其他高電壓MOS電晶體的行為。

該公司指出,LDMOS和HV MOS模型非常精確,採用單個模型卡即可在廣泛範圍的特色尺寸、偏置和溫度中下擁有更大靈活性。他們還提供對稱和不對稱、與寄生效應相關偏置的精確建模。LDMOS高壓緊密模型包含閘下方通道區和漂移區的物理效應,適合模擬LDMOS、VDMOS和EDMOS。該模型能指出通道區和漂移區,並計算電晶體內部出現的電壓。

HV MOS高壓緊密模型是業界標準BSIM3v3模型的延伸,適合模擬VDMOS與其他任何高電壓MOS元件。其核心參數設定是以BSIM3v3為基礎,確保了漏極電流等式良好的連續性和穩定的收斂。Simucad還為HV MOS模型增加了一些額外參數,這些參數說明了不對稱源漏極寄生偏置影響、由漏極電壓導致的遷移率減少、閘和漏極電壓影響的速率飽和和自我加熱等。

(Dylan McGrath)




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