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手機晶片需求火熱 RFMD投資八千萬擴廠

上網時間: 2006年04月04日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:功率放大器  發射模組  RF Micro Devices  砷化鎵異質結雙載子電晶體  GaAs HBT 

針對無線通訊應用的射頻積體電路供應商RF Micro Devices (RFMD)日前表示,將投資8,000萬美元擴充其在北卡羅來納州Greensboro的晶圓廠。RF Micro預計擴大後的工廠將創造300個就業機會。RF Micro表示,預計上述投資將把它的砷化鎵異質結雙載子電晶體(GaAs HBT)和pHEMT製程的產能擴增40%左右。

RF Micro的晶片需求主要來自手機市場,它向該市場提供功率放大器發射模組。RF Micro Devices總裁兼執行長Bob Bruggeworth說:「WCDMA手機包含若個功率放大器,這推動了全球砷化鎵的市場需求。RF Micro的WLAN功率放大器和前端模組出貨量一直攀升,我們預計採用了MIMO技術的802.11n會成為砷化鎵市場的主要需求來源,這個標準還為筆記型電腦和手機帶來了增值服務。」

RF Micro首次完成晶圓廠擴充是在2005年第一季,當時獲得1.504億美元的季銷售額,2005年的第四季銷售額達到2.08億美元。該公司在2005年12月還批准擴張其在中國大陸的封裝業務,預計新增產能將在2006年第二季投產。

(Peter Clarke)




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