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法國投入奈米晶體研發 以提升快閃記憶體性能

上網時間: 2006年04月20日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:奈米晶體  快閃記憶體  nanocrystal flash  非揮發性記憶體  non-volatile memory 

Atmel和法國原子能委員會(French Atomic Energy Commission,CEA)運作的電子應用研究實驗室Leti日前宣佈就快閃記憶體中採用的矽「奈米晶體(nanocrystal)」技術達成一項合作協議。其首項成果預計在2006年年底前公佈出版。該研發協議倡議共享雙方的研究等相關資源。

其特別採用CEA-Leti制訂的「短期循環」程式,使晶圓能在CEA-Leti設於Grenoble的無塵室與Atmel位於法國Rousset的晶圓加工廠之間快速並安全地流通(circulation)。該計畫開發的矽奈米晶體技術將被整合在Atmel目前已展開的下一代非揮發性記憶體研發計畫Erevna中,其計畫的整體目標是研製出130nm、90nm和65nm的非揮發性和嵌入式記憶體,預計2009年可實現商用。

奈米晶粒矽(Nanocrystaline silicon)用晶體斷層來儲存電荷,據稱是推動快閃記憶體發展的一種方式,但可能由於電荷洩漏而在縮放時出現問題。常規浮動閘快閃記憶體包含多晶矽沈積層,以維持電荷。隨著進一步縮小,避免出現使電荷洩漏的缺陷變得日益困難。透過轉向大約600個或相當的奈米晶體,每個直徑大約為50埃,位元單元獲得了浮動閘層斷裂的免疫能力。

CEA-Leti擁有10年的微電子奈米晶體矽領域的經驗,Atmel提供在先進產品和尖端技術開發領域的專長。透過與CEA-Leti合作,Atmel目標是「快速提升快閃記憶體性能,在65奈米技術領域進展上搶占先機。」而飛思卡爾(Freescale)在2005年11月曾宣稱驗証了24Mb奈米晶體快閃記憶體的容量,朝推出65nm奈米晶體快閃記憶體邁進一步。

(Anne-Francoise Pele)




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