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瑞薩推出新一代雙頻WLAN功率放大器

上網時間: 2006年04月21日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:瑞薩  Renesas  HA31010  雙頻  功率放大器 

瑞薩科技(Renesas)發表高效能HA31010 2.4GHz/5GHz雙頻SiGe MMIC (矽鍺微波單晶積體電路),可做為無線區域網路(WLAN)終端傳輸應用領域的功率放大器。該產品在單晶片上整合2.4GHz頻段及5GHz頻段放大電路,能以更小的面積提供雙頻支援,將於2006年6月起於日本地區提供樣品。

瑞薩指出,由於通訊速度及資料量的需求增加,使得支援兩種頻段──2.4GHz (IEEE802.11b和IEEE802.11g)以及5GHz (IEEE802.11a)──的雙頻/三模式(IEEE802.11a/b/g)系統,已成為WLAN終端設備的主流。而由於已通過的新一代WLAN標準草案IEEE802.11n,已具備引進MIMO (多重輸入多重輸出)技術的特性,可利用數個天線提高通訊速率,所需的功率放大器MMIC除得提供雙頻段能力,也必須具備更小的架置面積,以降低電流損耗,並製造小型、低功率的無線區域網路終端發送機。

為因應以上需求,瑞薩繼於2005年推出無線區域SiGe MMIC系列,並發表HA31005 5GHz頻段功率放大MMIC產品,進一步推出支援2.4GHz/5GHz雙頻作業的HA31010功率放大MMIC。為提供雙頻作業功能,新款單晶片結合分別支援雙頻道的放大電路(amplifier circuit),與使用該公司兩顆單獨SiGe MMIC的方案相比,號稱可減少40%左右的架置面積。

HA31010具備高增益特性,除可提供低電流耗損(current dissipation)外,2.4GHz頻段應用的功率增益為28dB、電流耗損為130mA,而5GHz頻段應用的功率增益為24dB、電流耗損為160mA。該晶片採用矽鍺-互補金屬氧化半導體(SiGe-CMOS)製程,並納入採用金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)的交換電路,可在無需新增外部交換裝置的情況下,執行2.4GHz/5GHz頻段放大電路的交換,以及及發送/接收交換作業。此外其待機電流僅0.1μA,可降低功率耗損。

瑞薩並指出,通常主動執行低功率消耗的WLAN裝置,需要能自動控制輸出功率,以便在執行通訊作業時,將必要的輸出功率降至最低;HA31010內含單晶片輸出功率偵測電路(detector circuit),即可做為此一功能感測器,以減少零件使用的數量並節省電路板面積。新產品封裝採用小型表面黏24-pin WQFN0404(瑞薩科技產品編號),尺寸為4.0mm×4.0mm×0.8mm;而由於採用對IC晶粒接合可靠性及傳導性有益的銀膠(silver paste)材料,以及封裝電級電鍍用的錫-鉍(Sn-Bi),該產品亦符合無鉛標準。




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