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為65奈米製程鋪路 台積電與ARM擴充實體IP協議

上網時間: 2006年04月26日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:實體IP  65奈米  授權協議  45奈米  台積電 

ARM台積電(TSMC)日前簽署一項最新協議,將雙方的長期合作關係擴充至開發一套全新的ARM Advantage產品。該產品作為Artisan實體IP系列產品的一部份,用來支援TSMC的65奈米45奈米製程。透過該協議,用戶可以從ARM Access Library Program獲得針對TSMC先進技術的ARM Advantage產品。

ARM Advantage IP提供高速、低功耗的性能表現,滿足消費電子、通訊和網路市場眾多應用的需求。Advantage標準單元包括功耗管理工具套件,實現動態和漏泄功耗節省技術,例如時脈閘控、多電壓分離和電能閘控等。它還提供五個Advantage儲存編譯器,提供相似的先進功耗節省特色。該產品套件在擴充了的電壓範圍內對時脈和功耗作了特殊設置,使得設計師可以完成多電壓設計精確模擬。

此外,ARM還將發佈TSMC Nexsys I/O產品,因而提供完整的實體IP。Advantage IP包含了ARM廣泛的views和模型集,提供了與眾多業界領先的EDA工具的整合。這些views在廣泛的執行條件下可以為Advantage產品提供功能、時脈和功耗資訊,使得設計師可以在SoC中實現能夠積極控制動態和漏泄功耗的複雜功耗管理系統。

據稱台積電認為,2006年65奈米產品將會有一個爆發式的成長。該公司每兩個月會啟動65奈米的原型驗証試驗線,幫助客戶和EDA、IP和庫供應商就他們的尖端設計進行原型試驗和驗証。台積電65奈米NexsysSM技術是其同時採用了銅互連和low-k絕緣技術的第三代半導體製程。它是一個9層金屬製程,核電壓1.0或1.2V,I/O電壓1.8,2.5或3.3V。

與台積電現有的90nm Nexsys製程相較,這項新製程技術可以將使標準單元閘的密度倍增。它同時還有很具競爭力的六晶體SRAM和單晶體嵌入式DRAM這兩種儲存單元尺寸。此外,該技術還包括支援類比和無線設計混合訊號和無線電頻率功能,支援邏輯和儲存整合的嵌入式高密度儲存,以及支援客戶加密需求的電子保險絲選項功能。




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