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應材發表多款12吋晶圓用清洗與沉積設備

上網時間: 2006年07月20日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:應材  Endura iLB II  Endura CuBS  Applied Producer APF-e 

美商應用材料(Applied Materials)推出三款新產品,為12吋晶圓電鍍平台提供了更好的清洗和沈積性能。

應材推出的新型升級版Endura iLB II電鍍機,要連接到代工廠的一體化線性和擴散阻障層(barrier)晶片處理設備。利用該公司的Endura平台,該工具目前結合了新的預清洗製程和改良的實體層沈積能力,滿足了先進晶片設計中對Ti(鈦)材料處理的需求。

據稱,它把關鍵接觸結構中的電阻最高減少了40%,該系統新穎的、基於PVD的eSIP chamber能夠在晶圓上沈積出一致的Ti金屬層;與過去的系統相較,底層覆蓋率增加了30%。此外在該工具上的新型“Siconi Preclean chamber”設備,為與良率至關重要的電晶體和接觸介面提供了經過改良的表面處理製程。

應材還推出了增強版Endura CuBS,其中配備了新型Aktiv Preclean chamber,使45nm以下的銅互連和低k互連成為可能。除了從互連清除聚合體的渣滓和氧化銅之外,Aktiv Preclean能保持超低k介質的完整性;與過去的反應預清洗製程相較,RC延遲最高改善了10%,Aktiv Preclean chamber的設計減少了缺陷,在維護週期期間能夠處理最多30,000塊晶圓,比反應型預清洗腔的處理速度提高了3倍。

此外應材還推出了Applied Producer APF-e系統,它能夠在70nm以下的快閃記憶體及DRAM記憶體元件、和45nm以下的邏輯應用元件上沈積先進的圖膜(patterning film)。APF-e薄膜的、有成效的硬光罩製程技術對多晶矽和氧化物具有高選擇性,因而使連續幾何縮放中關鍵的蝕刻圖製程步驟成為可能。

Applied的APF-e薄膜對多晶矽(6:1)和氧蝕刻(15:1)具有高識別性,只要與光阻有關的方案結合起來,就可以消除佈線邊沿的粗糙形狀。APF-e製程還消除了昂貴的、需要多層光阻處理的濕清洗步驟。

(原文連結處:Applied kicks off Semicon with three tools)




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