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培養半導體產業人才 首屆台積電傑出學生研究獎出爐

上網時間: 2006年08月07日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:台積電  傑出學生研究獎  IC設計  半導體製程  半導體材料 

為培養新一代半導體產業人才,台積電(TSMC)舉行第一屆「台積電傑出學生研究獎」,分成元件應用類(Device Application)、元件與製程類(Device and Process)、材料特性(Material Analysis)與分析類共三大類獎項進行研究計畫甄選,本屆得獎者研究領域涵蓋通訊晶片設計與半導體製程技術、材料等,除可獲得台積電提供的獎勵金,亦可額外申請國際學術交流經費。

首屆「台積電傑出學生研究獎」得獎者,在元件應用類部份,包括台大電機所的「A 14-band Frequency Synthesizer for MB-OFDM UWB Application」與「A 10Gb/s CMOS AGC Amplifier with 35dB Dynamic Range for 10Gb Ethernet」,以及清大電子所的「Low-Loss On-Chip Semi-Coaxial Interconnects for Silicon-Based Monolithic Microwave Integrated Circuits」。

在元件與製程類,得獎的則為台大物理所的「Datta-Das transistor: Significance of channel direction, size dependence of source contacts, and boundary effects」,以及交大電子所的「Reliability Study of High-k Gate Dielectric MOSFETs: From Single Charge Emission Measurement to PBTI」、「Metal Gate Technology for Sub-45 nm CMOS Devices」。

在材料特性與分析類部份,得獎的則是台大物理所的「Giant enhancement of band gap emission due to defect loss」、「Controlled Growth and Magnetism of self-assembled Co and Fe nanpparticle assembly on single-crystalline manostructured template Al2O3/NiA(100)」,以及清大化學所的「3-D TOF-SIMS mapping of metal ion doped quantum dots immobilized on self-assembled monolayer system」。

台積電表示,「台積電傑出學生研究獎」分為初審及決選二階段,參賽同學需就研究目的、意義、研究對科技貢獻的深度和廣度等面向,以英文書面清楚說明,並經台積電的評審委員會針對創意、技術深度、技術與邏輯有效性、正確性、扼要性等項目進行評核。進入決選之同學,還需配合參加英文簡報及英文提問。

該研究獎自今年三月起至五月底止為期三個月期間內,共收到來自全國各大學研究所學生近百件的研究案,經過評審委員們的審核之後,其中有來自台灣大學、成功大學、清華大學、交通大學、宜蘭大學、國防大學、淡江大學等校學生共二十二篇研究案進入決選,決選過程中,委員們多以雙向的討論方式代替單向的提問,並視狀況給予延伸性的研究建議,最後從中評選出各類組之前三名。

各類組前三名得獎者可分別獲得新台幣十二萬元、十萬元及八萬元之獎勵金及獎牌一座。此外,各類組第一名的同學更可額外申請新台幣七萬元之贊助參與國外學術研討會議經費。




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