Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 記憶體/儲存
 
 
記憶體/儲存  

富士通與東京工業大學聯手開發FeRAM的新型材料

上網時間: 2006年08月10日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:富士通  Fujitsu  鐵電記憶體  FeRAM  BiFeO3 

富士通微電子(Fujitsu)台灣分公司宣佈,東京工業大學(Tokyo-Tech)、富士通實驗室(Fujitsu Laboratories)與富士通公司已經聯合開發出一種用於新世代非揮發性鐵電記憶體(FeRAM)的新型材料。相較於目前FeRAM生產中使用的材料,此種包含鉍鐵氧體(BiFeO3或BFO)的合成材料能提供多出五倍的資料儲存容量。

FeRAM採用以BFO為基礎的材料,並運用65奈米製程技術所打造,因此可將記憶容量擴展到256Mbit。新款FeRAM並具備超低功耗與高速傳輸速度,可滿足新一代個人化行動電子產品小巧、易操作與高安全性等特點的IC卡等。富士通預計將於2009年推出樣品。

BFO是由鉍、鐵和氧原子構成的具有鈣鈦礦結構的鐵電材料。目前普遍使用的鐵電材料是鋯鈦酸鉛(PZT),但其低蓄電能力常限制了可擴充性,該技術限制預計在2009年,發展至130奈米節點時就會出現。此外,內含Mn doped的BFO薄膜電容器能夠減少漏電流,並具備180-220μC/cm2的交換式充電(Qsw),這相當於殘留極化值2Pr的兩倍,顯示在技術節點方面具備的巨大擴充潛力。

採用65奈米技術的FeRAM可使用含Mn doped的BFO來製造,其裝置架構與使用180奈米技術生產的FeRAM的裝置架構類似。此款新材料讓FeRAM具備更大的可擴充性,將存儲容量擴充至2014。與現有的1Mbit容量相比,256Mbit FeRAM擁有高出2個等級的密度。隨著密度的提高,FeRAM的應用將可伸及至電子紙裝置與「Quick-on-Computer」(電腦在開機後能夠立刻使用)等全新領域。

富士通於1999年開始FeRAM的量產。至2006年3月為止,富士通已經銷售數億顆嵌入式與獨立式FeRAM晶片,其中包括1Mbit獨立式FeRAM晶片。富士通於今年在東京舉行的日本應用物理學會(Japan Society of Applied Physics;JSPS)會議與在夏威夷舉行的國際積體鐵電元件應用會議(International Symposium on Integrated Ferroelectrics;ISIF)上已發表此新款材料與製程技術。




投票數:   加入我的最愛
我來評論 - 富士通與東京工業大學聯手開發FeRAM的...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首