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搶NAND商機 台灣業者虎視眈眈

上網時間: 2006年08月29日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:NAND  快閃記憶體  DRAM  南亞  茂德 

厭倦了在NAND快閃記憶體市場當旁觀者,台灣記憶體製造業者開始向此蓬勃發展的業務領域大舉進攻。

包括南亞(Nanya)、力晶(Powerchip)和茂德(ProMos)等DRAM廠商,近年來發表了不少進軍NAND市場的聲明,但幾乎毫無戰績。顯然這些DRAM業者入場時機已晚,主要是因為缺乏必要的專利和技術與人競爭。

因此,台灣業者看起來偏向採取較安全的快閃記憶體代工策略,這樣供應商可以為其它公司製造元件。不過,目前至少有兩家雄心勃勃的台灣業者,正摩拳擦掌期望在NAND市場留名。

力晶在今年稍早獲得日本瑞薩(Renesas)技術授權,將開始銷售一種NAND元件系列產品AG-AND;瑞薩則已宣佈退出NAND市場。而茂德則宣佈了更大的成就,宣稱已試產台灣首款自有NAND快閃記憶體元件;根據市調機構Gartner透露,該款1Gb NAND元件採用130nm製程,在茂德的200mm廠生產。

該技術要投入市場競爭還差得遠,但茂德計劃加快研發腳步跟上水準。Gartner分析師Ben Lee表示:「茂德在2007年上半年之前並沒有量產130nm NAND快閃記憶體晶片的計畫;而為因應市場需求,ProMos會推出採用300mm晶圓、次60nm製程,大於16Gb的記憶體晶片。」

Lee並未再針對茂德產品進一步透露詳情;他表示,茂德在去年動土興建期第二座300mm晶圓廠,該公司並表示其第三座300mm晶圓廠已在規劃中,而這第三座晶圓廠應會成為茂德快閃記憶體的生產基地。

力晶除已取得瑞薩授權,將開始銷售AG-AND快閃記憶體產品,目前亦正與旺宏(Macronix)進行合作,除買下旺宏的12吋晶圓廠房(參考連結),雙方並將聯手開發90奈米的高密度快閃記憶體。至於南亞雖表示有意跨足NAND領域,但並未公開任何快閃記憶體產品計畫。

總之台灣廠商能否與Hynix、IM Flash、三星(Samsung)、東芝(Toshiba)及其它NAND廠商相抗衡,目前還難見分曉,然而分析師表示,如同DRAM一樣,台灣仍可能成為NAND領域的利基型玩家;而考量到該市場目前面臨的價格下跌趨勢,台灣廠商也可能會將跨入的時間點延後。

(參考原文:Taiwan eyes NAND flash splash)

(Mark LaPedus)




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