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工研院與聚昌宣佈合作開發LED製程用VHVPE設備

上網時間: 2006年11月08日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:LED  製程設備  工研院  聚昌  VHVPE 

看好LED產業之廣大市場以及全球LED產業景氣之持續成長,工研院(ITRI)與半導體製程設備業者聚昌科技(AST)簽約,合作開發直立式氫化物氣相磊晶機台(Vertical Hydride Vapour Phase Epitaxy,VHVPE),並由工研院進行機台之驗證與改善。

此合作計劃將結合工研院研發團隊的技術研發能力,以及聚昌在先進製程設備的長期投入經驗,以協助台灣的光電半導體產業建立自主的上游磊晶設備製造和研發改善能力,擺脫我國LED廠商長期受國外設備製造商牽制之苦,並同時為我國之LED及雷射二極體廠商提供高品質且大尺寸的氮化鎵單晶基板。

工研院表示,LED技術發展由來已久,近年來除了歐、美、日等大廠外,包括台灣及大陸之廠商也積極投入LED先進技術之研發。LED的無污染、低耗能、長壽命等特性,也代表著蘊藏其後的龐大市場商機。在LED產業持續蓬勃發展下,預計今年全球LED市場將可成長至逾60億美元。

據經濟部工業局預估,台灣LED的產值每年均有一成左右的成長率,預計今年將可達到640億台幣之目標,因此加速建立台灣自主性關鍵機台與技術更顯重要。工研院指出,儘管國外廠商已有類似VHVPE的機台,但目前仍未商業化,因此高單價的氮化鎵基板仍是國內廠商之痛,也加深了工研院與聚昌共同研發VHVPE機台,並生產高品質氮化鎵基板的決心。

工研院副院長暨電光所所長徐爵民表示,藉由建立可長時間操作的VHVPE機台,不但可讓台灣業者擺脫國外設備大廠在機台維修及零件上的箝制,同時所生產出較厚之氮化鎵基板,也可解決因晶格和熱膨脹係數不匹配所造成的高缺陷密度問題。

相較於水平式HVPE機台,進階版的直立式HVPE機台藉由差異化的反應爐(Reactor),可生產較佳的磊晶品質,此外可長時間操作的特性,也使得氮化鎵基板的成長厚度大於1公分,對於氮化鎵基板的缺陷密度降低有很大的幫助。

聚昌的研發團隊在該公司總經理吳金龍帶領下,長期致力先進製程及設備研發;該公司對於此次與工研院共同合作開發高品質氮化鎵基板技術深具信心,並表示藉助工研院電光所在光電半導體及系統應用的研發實力,不但計劃研發VHVPE機台,並渴望於兩年內由工研院完成機台之驗證與改善,開發高品質氮化鎵基板製造技術,以提昇上游氮化鎵單晶基板的掌控能力。




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