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EUV進展緩慢 Intel考慮改用浸潤式微影

上網時間: 2006年11月27日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:英特爾  濕潤式技術  極紫外光微影  EUV 

英特爾(Intel)技術與生產事業部副總裁兼零組件元件研究總監Mike Mayberry透露,由於極紫外光微影技術(EUV)進展緩慢,英特爾不得不打算在32奈米節點領域採用浸潤式技術(immersion technology)。

Mayberry表示:「EUV技術在這一年內並沒有多大的進展。」EUV是一種針對32奈米及更高階製程節點的下一代微影技術(next-generation lithography,NGL)。Mayberry指出,EUV仍然面臨三個主要問題:合適的光源、無缺陷光罩和抗蝕劑。整個產業都在努力試圖解決這些問題,但一直沒有成功。

其實EUV最近取得了一些進展。8月,ASML向美國紐約Albany大學的奈米科學和工程學院(the College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE)出售了世界首套EUV微影工具。該工具是用於研發的,而不是用於生產。

Albany大學表示:「ASML名為Alpha Demo Tool (ADT)的工具造價6,500萬美元,是EUV技術開發和商業化道路上的重要一步。」同時,歐洲研發組織IMEC也宣佈購買了ASML推出的首款EUV工具。

這些「示範」版本工具的初步效果暫時還不得而知。ASML首席科學家Bill Arnold表示:「這些設備暫時還沒有投入執行,還在進行安裝和調整。」

(參考原文:EUV making slow progress, says Intel)

(Mark LaPedus)




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