Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 放大/轉換
 
 
放大/轉換  

瑞薩R2J20602NP整合驅動器IC與MOSFET

上網時間: 2006年12月01日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:R2J20602NP  驅動器  MOSFET  DrMOS  瑞薩 

瑞薩科技(Renesas)推出採用56接腳QFN封裝,整合了一顆驅動器IC和兩顆高階/低階功率MOSFETR2J20602NP,適用於PC、伺服器等產品的CPU穩壓器(VR)。R2J20602NP符合英特爾(Intel)提議的“整合驅動器MOSFET (DrMOS)”封裝標準,是瑞薩的第二代DrMOS標準相容產品。

R2J20602NP具備40A的最大輸出電流,採用瑞薩高性能功率MOSFET技術、新開發的高輻射/低損耗封裝,以及專為功率MOSFET性能而最佳化的高速驅動器IC。這些技術支援需要大電流的CPU、FPGA和記憶體等電子元件。

當工作在1MHz開關頻率時,R2J20602NP以約89%的高效率實現了業界最高水準(Vin=12V,Vout=1.3V)。其輸出電流為25A,功率損耗為4.4W,比瑞薩目前的R2J20601NP低至少20%。使用R2J20602NP有助於實現高效的電源配置,並抑制散熱量,因而開發出一個節能的最終產品。

R2J20602NP封裝與瑞薩第一代的R2J20601NP接腳相容。8mm×8mm×0.95mm的小型56接腳QFN封裝適用於高速交換,有助於使用更小的外部電感器和電容器等被動元件,並可減少元件數量。這將使VR變得更小。

此外R2J20602NP單封裝設計有助於大幅度降低元件之間的佈線寄生電感,使R2J20602NP適用於高頻作業。瑞薩科技用在這個產品中的最新功率MOSFET可提供業界最高的性能。低階MOSFET整合了蕭特基阻障二極體,可以減少開關損耗,驅動器IC專門用來最佳化MOSFET的通/斷控制。

該元件採用無鉛高輻射類型小安裝面積封裝,符合DrMOS標準。最小的封裝尺寸為8mm×8mm×0.95mm,0.5mm接腳間距,封裝內採用的是無線銅板構造(copper plate construction)內部連接,可大幅度降低阻抗。佔用了封裝背面大部份表面的接腳可以增加電流路徑,有助於處理電流和散熱問題。

新型R2J20602NP可應用於桌上型電腦、伺服器等的CPU的VR,高性能GPU和大電流DSP的DC-DC轉換器,以及通訊等POL (負載點)轉換器。其樣品供貨將從2006年12月在日本開始。




投票數:   加入我的最愛
我來評論 - 瑞薩R2J20602NP整合驅動器IC與MOSFET
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首