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Maxim推出大容量表面黏著單片式NV SRAM模組

上網時間: 2006年12月11日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:SRAM模組  非揮發性  DS2070W  DS3070W  回流焊 

Maxim的全資子公司Dallas Semiconductor,推出新款大容量、單片式、表面黏著非揮發性(NV) SRAM模組DS2070W+100(2M×8位元),以及DS3070W+100(2M×8位元,整合RTC),內建可經受回流焊電池

與目前市面上其他NV SRAM模組不同,DS2070W/DS3070W NV SRAM模組極其簡單。該系列元件採用單片式方案,內建可經受回流焊的電池。可以採用標準裝配流程很簡單的實現該系列元件的安裝:可以透過現有的拾取/貼放機從裝有元件的捲帶上拾取並貼放元件。該系列元件還相容於標準的SMT製程,可以承受最長30秒鐘的+225℃(+0/-5℃)的峰值回流焊溫度。完成回流焊後,該模組可以採用水清洗流程,無需任何附加措施。

與競爭對手的傳統兩片式表面黏著方案相較,DS2070/DS3070的可回流焊電池就更顯其重要性。兩片式方案需要額外增加裝配工序及成本,安裝電池時需要尤其小心,因為目前業界所使用的一次性電池不能採用回流焊。因此通常都是先採用回流焊製程將基底(不帶電池)焊到電路板上,然後在裝配工序最後階段才將電池手工安裝到基底上。DS2070W/DS3070W免去了這些裝配工序,縮短了生產週期並降低了成本。

DS2070W/DS3070W是高度整合的模組,方便使用,元件利用智慧電路持續監控VCC,防止意外掉電引起重要資料的遺失。VCC接到模組上時,外部電源對內部的鋰錳電池充電,同時為SRAM供電,允許用戶修改SRAM的內容。當電源電壓超出容限時,元件自動接通電池,並且無條件啟動寫保護,以防止資料丟失。元件可以無限次執行寫作業,與微處理器介面時無需任何附加電路。

新款單片式NV SRAM模組是全靜態記憶體,結構和功能上與目前公司現有的單片式NV SRAM模組相類似。該系列模組可以替代SRAM、EEPROM、或快閃記憶體,這些元件的容量介於32k×8位元至2M×8位元之間。不同容量的元件均具有相同的封裝形式和接腳排佈,方便用戶在不改變主體設計情況下擴展記憶體容量。

DS2070W/DS3070W採用RoHS相容、27mm×27mm、256焊球BGA封裝,與外界環境實現完全隔離。該系列元件規定工作在-40℃至+85℃產業級溫度範圍。




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