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ARM Velocity記憶體介面支援TSMC 90奈米製程

上網時間: 2007年01月01日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:記憶體介面  IP  DDR1  DDR2  90奈米 

ARM新近發佈了其Artisan實體IP系列中的ARM Velocity DDR1DDR2 (1/2)記憶體介面,支援台積電(TSMC)的90奈米通用製程。ARM Velocity DDR1/2記憶體介面是第一個通過TSMC IP品質安全測試的90奈米、可量產的IP。

ARM 90奈米Velocity DDR1/2記憶體介面解決方案包括多組可程式ODT (on-die termination)和輸出驅動阻抗控制(output driver impedance control),所有的端頭在使用ARM先進的動態校準器電路的情況下能夠獲得很高的阻抗精密度。這些特性提高了整體訊號的完整性,並且加速高速系統設計開發週期。

90奈米Velocity DDR1/2記憶體介面提供最適宜的解決方案,為需要用到SDRAM的眾多應用(例如主流桌上型電腦、網路設備和伺服器)提供可調整的功耗和性能。這些適用於DDR1和DDR2的雙倍數據速度解決方案可以最高達800Mbps的數據速度執行,並實現了SDRAM成立和記憶體控制器之間的所有介面。

基於TSMC 90奈米製程的ARM Velocity DDR1/2記憶體介面解決方案現已供貨。已授權設計工程師師可在www.arm.com免費下載用於TSMC 90奈米製程的DDR1/2前端解決方案。DDR後端解決方案可從當地ARM銷售管道獲得。




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