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瑞薩發表RQG2003高效能SiGe功率電晶體

上網時間: 2007年01月24日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:瑞薩  RQG2003  SiGe HBT  RFID  WLAN 

瑞薩科技(Renesas)宣佈推出RQG2003高效能功率SiGe HBT,可運用於無線區域網路終端設備、數位無線電話及RFID標籤讀取機/寫入機等產品。接續瑞薩科技現有的HSG2002,RQG2003為使用於功率放大器之電晶體,放大無線區域網路終端設備等裝置RF前端的傳輸功率,預計於2007年3月起在日本開始提供樣品。

RQG2003在5GHz及2.4GHz頻段的效能號稱可達到業界最高等級。在5GHz頻段,其功率增益6.4dB、1dB,增益壓縮功率26.5dBm、功率增加效率在5.8GHz時為33.6%;在2.4GHz頻段,其功率增益13.0dB、1dB,增益壓縮功率26.5dBm、功率增加效率在2.4GHz時為66.0%上述效能指數超越瑞薩現有的HSG2002,例如功率增加效率在5.8GHz提升約10%,在2.4GHz提升約20%。

RQG2003優異的效能可使相容於IEEE802.11a、使用5GHz頻段的LAN裝置、數位無線電話等,以及相容於IEEE802.11b/g、使用2.4GHz頻段的無線區域網路設備、RFID標籤讀取機/寫入機等設備達到低耗電的目標。

RQG2003採用小型表面封裝8-pin WQFN0202,尺寸為2.0mm×2.0mm×0.8mm。小型、超薄的無接腳封裝可使RF前端傳送區段採用節省空間的設計。該元件是瑞薩首度採用其雙渠(double-trench)架構之產品,在此架構中,會在單一電晶體區域中形成一個渠道隔離以及傳導渠道。利用渠道隔離來區隔電晶體與底層的矽,可減少會導致高頻率特性劣化的寄生電流容量(在底層與電晶體之間)。

此外,傳導渠道是以via holes方式連接電極與底層而建立的,可藉此降低因纜線結合所產生的電感。利用此雙重渠道架構可大幅提升2.4GHz及5GHz頻段的功率增益及功率增加效率。

RQG2003採用SiGeC程序,其中的SiGe底座尚有塗佈碳,並且電晶體排列方式亦經過最佳化。這樣可帶來大幅的提升,集電裝置電流密度提高,相較於瑞薩科技現有的HSG2002,1dB增益壓縮功率提升約1.5dBm。

RQG2003採用最佳的銀漿,可提高黏晶的可靠度及導電率,並採用Sn-Bi (錫-鉍)做為封裝電極電鍍,提供完全無鉛的產品。瑞薩並計畫擴大RQG系列SiGe功率電晶體的LNA (低雜訊放大器) RQG1xxx及PA (功率放大器)RQG2xxx的產品種類,並持續開發RQL系列SiGe MMIC的LNA RQL1xxx及PA RQL2xxx產品,以提供更多的產品項目,滿足持續成長的市場需求。




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