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iSuppli:新興記憶體技術之商業化尚待時日

上網時間: 2007年02月01日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:記憶體技術  全像記憶體  全像儲存  相變化RAM  MRAM 

在2006年,若干新興的記憶體技術大步朝商業化目標邁進──雖然它們尚未對在該領域佔據主流位置的DRAM或快閃記憶體構成挑戰。這些新興記憶體包括飛思卡爾(Freescale)的商用4Mb MRAM、三星(Samsung)的相變化RAM (PRAM)和全像記憶體、美商InPhase的非半導體記憶體技術。

市場研究公司iSuppli分析師Mark DeVoss指出,這些記憶體技術的開發已經歷時多年,由於各種原因,每一種技術都尚未準備就緒以迎接發展的黃金時間。然而在2006年取得的技術進展可能足以證明:迅速把各自的技術從實驗室投入附近的供應商是有益的。

飛思卡爾表示,其MRAM元件能夠擷取所有目前記憶體技術的所有想要的特性。該公司表示,其新元件已經把讀出和寫入速度平衡到了35ns,類似於DRAM或快閃記憶體,並且儲存單元的密度類似DRAM和快閃記憶體。然而飛思卡爾表示,MRAM沒有像DRAM那樣的洩漏問題,並支援像DRAM、SRAM,以及非揮發性快閃記憶體那樣的無限制耐久性約束。

DeVoss表示,MRAM作為一種技術已經出現了幾年,但是由於各種原因一直沒有實現大量的商業成功,這些原因包括不具備競爭力的每位元成本,和難以把採用該技術的模組整合在標準的CMOS製程元件之中。

飛思卡爾的突破在於解決了第一個問題,它利用術語上稱為“固定(Toggle)”位元與一種創新的MRAM單元結構相結合,不需要額外的控制三極管就能夠把單元穩定在“1”或“0”狀態,因而提供了一種最最佳化的位元解決方案。透過把MRAM模組結合到製程流程的後段,可以解決製程整合問題,並將對標準CMOS邏輯製程步驟的影響最小化。

而三星的512M PRAM值得注目之處,在於其密度和功能集(即密度、讀出和寫入性能及耐久力),使之直接與大量應用(如行動電話)中的NOR快閃記憶體競爭。DeVoss表示,在過去的幾年中,三星一直吹噓64Mb和256Mb元件將成為NOR快閃記憶體的殺手,但是市場成效不大。該公司目前聲稱,已經解決了保持記憶體陣列數據所需要的硫化物層的化合物挑戰,並預期最快在2008年使主流市場轉向PRAM。

三星不是唯一關注相變化記憶體未來發展潛力的企業,英特爾(Intel)和意法(ST)已經聯合設計和開發了128Mb元件,但迄今為止尚未有產品的發表或預測大量商業化生產的日期。DeVoss認為,目前相變化記憶體的關鍵不在於如何製造,而在於以引人注目的價格點來生產,以便取代它的競爭對手NOR快閃記憶體。如果相變化記憶體不能以合適的價格提供使用,那麼市場認同將進一步延遲。

此外全像記憶體的開發也歷時許多年,DeVoss指出,這類記憶體利用雷射、光感測器、影像感測器和在實現術語上稱為“體記錄”的專用媒介技術。利用為目前消費性高解析度DVD燒錄機和高解析度數位相機開發的技術──包括藍光和綠光雷射技術及CMOS影像感測器──已經能夠實現全像記憶體的商業化。

全像記憶體元件至今尚未準備好投入消費市場,而其一次寫入、多次讀出(WORM)的限制和高昂的設備成本對提高其採用率有一定限制。然而隨著研究工作的深入,全像記憶體可能有一天成為主流的記憶體。

InPhase的Tapestry 300讀/寫系統目前的報價是1萬8,000美元,在直徑僅5.25英吋的單一媒介光碟上提供了300Gb的資料儲存密度。DeVoss表示,這種光碟類似於目前標準的DVD光碟,並具有稍微高於100美元的報價。其5.25英吋光碟的理論最大密度目標是超過1.6Tb,但是近來不可能達到那個水準。

而DeVoss表示,目前看來上述三種記憶/儲存技術被認為頗具發展前途,在這些技術開始邁向商業化之前,其未來市場的發展值得拭目以待。




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