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Fairchild新型MOSFET鎖定電漿顯示器應用

上網時間: 2007年03月14日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:FDB2614  FDB2710  MOSFET  PDP  PowerTrench 

快捷半導體(Fairchild Semiconductor)推出FDB2614 (200V)和FDB2710 (250V) N溝道MOSFET,這兩款產品經過特別設計,可為電漿顯示器(plasma display panel,PDP)應用提供優良的系統效率和最佳化的佔位空間。

與市場上同類型元件比較,這些採用快捷半導體專利PowerTrench製程技術的MOSFET,號稱可提供最低的導通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐姆;FDB2710的典型值為36.3毫歐姆)。超低的RDS(on)加上低閘極電荷(Qg),使該元件具有同級產品中最佳的特性值(Figure of Merit,FOM),因而可以在PDP系統中獲得更低的傳導損耗和出色的開關性能。

該元件低導通阻抗特性搭配超小型的晶片尺寸,再加上200V或250V的擊穿電壓,讓它可以封裝在佔位面積更小的D2PAK封裝中。PowerTrench MOSFET的另一項優勢是能夠承受高速電壓(dv/dt)和電流(di/dt)開關的瞬態回應,有助於提高系統的可靠性。

FDB2614和FDB2710均為無鉛元件,能達到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求,並符合現已生效的歐盟標準。現已開始提供樣品。




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