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NXP新一代BISS雙極電晶體適合可攜式應用

上網時間: 2007年03月23日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:BISS  功率電晶體  DC/DC轉換  開關 

恩智浦半導體(NXP)發表新一代低VCEsat電晶體,與普通電晶體相比,其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS (Breakthrough in Small Signal)電晶體具有超低飽和電壓(1安培時低於60毫瓦)、高電路效率和更低的能源消耗,並有效減少可攜式電池供電產品(如筆記型電腦、PDA和數位相機)的熱能產生。先進的BISS雙極電晶體還可用於需要低等效導通電阻(low equivalent on- resistance)的產業及車用裝置。

第三代BISS電晶體的最大集電極電流為5.8安培,它使用網狀發射極技術降低RCEsat,從而能夠提供更高的電流容量以及超低的VCEsat參數。BISS電晶體可用於提高中等功率DC/DC轉換、負荷開關、高端開關(high side switch)、馬達驅動器、背光電壓反向器應用和頻閃器閃光單元以及電池充電器等多種應用的效率。恩智浦目前大量生產供應的BISS電晶體有120多種。

恩智浦目前提供三種塑膠表面黏著式封裝低VCEsat BISS電晶體,包括SOT457 (六線)、SOT89 (三線、配有確保良好傳熱性的集電極片)和SOT223 (四線、配有更多散熱片)。




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