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台積電協助川崎微電子以90nm嵌入式製程量產DTV晶片

上網時間: 2007年05月11日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:90奈米  嵌入式DRAM製程  數位電視晶片 

川崎微電子(K-micro)與台積電(TSMC)共同宣佈,川崎微電子成功推出其使用台積電90奈米嵌入式DRAM製程量產的數位電視(digital television,DTV)晶片。川崎微電子推出新系列客戶訂製特殊應用晶片(ASIC),係針對市場有愈來愈多對於高效能、具備成本競爭優勢、低耗電並具備高記憶體匯流排量的單晶片需求。

台積電全球業務暨服務資深副總經理金聯舫表示,川崎微電子採用台積電90奈米嵌入式DRAM製程成功量產其數位電視晶片,代表台積電已克服了嵌入式DRAM製程傳統的挑戰,例如pass gate leakage、cell capacitance以及stacked contact等。台積電是自2006年第一季即開始使用90奈米嵌入式DRAM製程為客戶量產,此一製程除了具備製程步驟較少的優勢之外,在巨集(Marco)尺寸上更具競爭力,而且製程穩定性高。

台積電90奈米嵌入式DRAM製程係以金氧互補半導體(CMOS)邏輯製程為基礎,整合一個外加式(Add-on)記憶體模組,能夠省下外部DRAM與元件間介面的輸入/輸出電力,並具備較寬的匯流排以及較低的材料成本等競爭優勢。

與SRAM製程相較,此一製程的操作及待機耗電量更低,其巨集尺寸也縮小了60%。此一製程相當適合用於生產需要高匯流排量的系統單晶片的數位電視及遊戲機等晶片,以及低耗電需求的手持式及小尺寸的消費性電子等晶片。




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