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Chartered與Tezzaron聯手打造3D記憶體產品

上網時間: 2007年06月25日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:記憶體  3D  3T-iRAM 

新加坡晶圓廠特許半導體(Chartered Semiconductor Manufacturing),宣佈開始大量生產Tezzaron Semiconductor的記憶體晶片。此外兩家公司也開始進行生產Tezzaron之3D元件的準備工作。

特許是採用0.13微米製程生產Tezzaron的3T-iRAM系列2D 72Mbit記憶體產品,這種產品採用專利技術模擬SRAM,卻比SRAM速度更快、耗電更低,適合電信和數據通訊設備應用。Tezzaron也在開發稱為FaStack的3D產品。

該產品可採用稱為Super-Contacts的晶片直穿孔(thru-silicon)互連技術,可深入每片晶圓電路,然後將晶圓片以0.5微米的精密度打線、打薄並封裝成一顆顆產品。將採用這種方法製造的的是72Mbit記憶體元件,並可兩兩互疊做為144Mbit的SRAM替代產品。

(參考原文:Chartered, Tezzaron partner on 3D devices)

(Mark LaPedus)




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