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IBM展示具高穩定性的6GHz SRAM晶片組原型

上網時間: 2007年07月25日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:SRAM  嵌入式  晶片組 

IBM的科學家發表了一種較現有SRAM快兩倍、能夠達到6GHz以上速度的嵌入式SRAM晶片組原型。這種嵌入式SRAM用以保存由處理器頻繁存取的資料,存取的速度越快,從SRAM到CPU的資料交換就越快。

IBM旗下T. J. Watson研究中心的研究小組成員Rajiv V. Joshi表示:「在製程技術遵循摩爾定律(Moore’s Law)降低電子元件尺寸,以實現更高的密度之過程中,製程存在的變異性使這個任務越來越難達成。」研究人員一直在尋找克服製程變異性影響的方法,特別是當一個元件被放置在大量元件之中時,元件的接通(turn-on)特性存在各種變異,會使記憶體遺失已儲存的資料,使它們表現“不穩定”。

為了改善SRAM單元(cell)的穩定性,研究人員已經提出了各種不同的技術,如以讀/寫作業為基礎的動態(dynamic)或雙單元(dual-cell)電源,或把更多的電晶體添加到6電晶體SRAM單元之中。IBM的研究人員亦展示了一種可免除“半選(half select)”問題、以硬體為基礎的新式解決方案,能透過8T SRAM陣列改善多埠應用的Vmin並提高性能。

半選問題產生的原因,是當字元線(word line)在記憶體行數選擇(column select)關閉時打開,導致穩定性變差。而新式的寫入位元(write-byte)概念會產生本地寫入(local-write)的字元線,這些字元線只有當已選模組的寫入控制接通時才被選中,因而避免半選干擾問題。因此,獨立的讀入埠會在讀入期間避免半選,而寫入位元則能在寫入期間避免半選。

晶片內建的邊緣擷取(edge-capture)電路則首次被用於測量晶片內的訊號參數,如字元線脈衝寬度,以及校準SRAM單元的性能。晶片內建的脈衝特徵擷取技術顯示,可以測出50到60ps寬的微小脈衝,因而精確地判定SRAM單元執行的速度有多快。IBM的這種晶片是以65奈米絕緣層上覆矽(SOI)製程製造。

(參考原文:IBM researchers develop stable SRAM operating at 6 GHz)

(Nicolas Mokhoff)




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