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IMEC研發32奈米製程應用兩次圖形曝光技術

上網時間: 2007年08月14日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:兩次圖形曝光  double patterning  32奈米微影 

比利時研究機構IMEC宣佈在32奈米微影(lithography)技術方面取得進展,並指出兩次圖形曝光(double patterning)技術可望在其他技術就位之前,成為過渡的解決方案。

IMEC的32奈米微影技術開發在去年取得了重大進展,該機構執行長Luc Van de hove表示,由於需要為記憶體應用快速開發出32奈米製程,根據所得到的研究結果,在單次曝光(single exposure)方案出現之前,兩次圖形曝光技術將成為32奈米半間距(half pitch)製程的過渡方案。

IMEC的32奈米研究包括三種方案:高指數(high-index) 193奈米微影、193奈米水浸潤式(water-based immersion)兩次圖形曝光技術,和超紫外光(Extreme Ultra Violet,EUV)微影。

在兩次圖形曝光技術方面,IMEC所面臨的挑戰包括光罩設計切割(mask design split)、更具效益的製程,以及臨界尺寸(critical dimension)和重疊控制(overlay control)。IMEC的研究證實可獲得低於3奈米的臨界尺寸,這是32奈米生產的要求之一。

在浸潤式微影方面,IMEC將延長與ASML的策略合作關係,並將安裝數值口徑(NA)為1.35的新型ASML XT:1900i設備,直至使NA達到1.55至1.6的範圍,使193奈米浸潤式微影適用於32奈米半間距製造節點。而為獲得更高的NA,另一種液體可能將取代目前使用的純水。

至於EUV,IMEC非常明確表示該技術是唯一可能擴展到22奈米以及更精細製程的技術;該機構在過去幾年來致力於將錫(Sn) EUV光源與ASML的工具整合,目前該光學技術已可提供高解析度影像並可接受測試。

(參考原文:IMEC sees double patterning as next step towards 32nm)

(Christoph Hammerschmidt)




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