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Vishay新型1.2V功率MOSFET可簡化電源管理電路

上網時間: 2007年08月21日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MOSFET  電源管理  SiA414DJ 

Vishay推出首批在1.2V閘源電壓時具有額定導通電阻值的功率MOSFET,可協助設計人員簡化電源管理電路,同時延長可攜式電子系統中的電池執行時間。

額定電壓為1.2V的這些新型Vishay Siliconix TrenchFET元件,能使MOSFET導通電壓與移動電子設備中使用的數位IC的1.2V~1.3V工作電壓保持一致,因而可實現更安全、更可靠的設計。作為首批可直接從1.2V匯流排驅動的功率MOSFET,這些新型TrenchFET還提供了額外潛在優勢;透過新元件,在核心電壓低於1.8V的電池供電系統中無需額外的轉換。

在額定電壓最低為1.5V的MOSFET中,在更低的未指定閘源電壓(例如1.2V)時導通電阻一般會按指數級增加。透過比較,這些新型1.2V TrenchFET在1.2V閘極驅動時提供了低至0.041Ω的n通道導通電阻,以及低至0.095Ω的p通道導通電阻。1.5V閘極驅動的導通電阻性能高於最低閘源電壓規格為1.5V的元件中的導通電阻性能,可低至0.022 (n通道)和0.058 (p通道)。

新推出的元件包括n通道SiA414DJ (採用PowerPAK SC-70封裝)、Si8424DB (MICRO FOOT)及SiB414DK (PowerPAK SC75);以及p通道SiA417DJ (PowerPAK SC-70)、Si8429DB (MICRO FOOT)、SiB417DK (PowerPAK SC-75)。先前推出採用SC-70封裝的p通道Si1499DH完善了Vishay的1.2V功率MOSFET系列產品。

這些新型元件的一般應用包括手機、PDA、MP3播放器、數位相機及其他可攜式系統中的負載、功率放大器及電池充電器開關。除憑藉低導通電阻節省電池電量外,這些新型元件還可憑藉1.5mm×1.5mm的小型封裝尺寸節省空間。

目前所有7款1.2V元件的樣品及量產均可提供。




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