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Fairchild新N溝道MOSFET支援可攜式電池組保護應用

上網時間: 2007年08月27日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MOSFET  FDS881XNZ 

快捷半導體(Fairchild Semiconductor)推出全新高效N溝道MOSFET──FDS881XNZ系列,提供8kV ESD (HBM)的電壓保護。FDS881XNZ系列支援用於電池組保護應用(如筆記型電腦和手機)的最新架構。

利用Power Trench製程,這些低導通阻抗(RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON))低於5mOhm的FDS8812NZ)能夠降低傳導損耗及延長電池壽命。另外提供抗峰值電流能力,確保電池組在意外的電壓尖峰衝擊下依然保持系統的安全性。

FDS881XNZ系列為設計工程師提供了多種選項,讓他們可根據其電池應用的功率管理和負載開關要求進行選擇。FDS8812NZ (RDS(ON)=4mOhm)針對高階筆記型電腦應用,協助將高階功能整合到筆記型電腦中的散熱難題。FDS8813NZ (RDS(ON)=4.5mOhm)適合於15"以上顯示器的筆記型電腦,而FDS8817NZ (RDS(ON)=7mOhm)則適用於中低階產品和小型筆記型電腦。

FDS881XNZ系列N溝道MOSFET系列採用SO8封裝,FDS881x系列採用無鉛(Pb-free)接腳,潮濕敏感度符合IPC/JEDEC標準J-STD-020對無鉛迴焊的要求,所有快捷半導體產品均設計符合歐盟的有害物質限用指令(RoHS)。




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