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華邦於杭州電子博覽會展出低功耗DRAM及虛擬SRAM

上網時間: 2007年09月06日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:動態記憶體  虛擬靜態記憶體 

華邦電子(Winbond Electronics)將於2007年9月初於中國杭州電子訊息博覽會中展出兩系列行動記憶體產品──低功耗動態記憶體(Mobile Memory)及虛擬靜態記憶體

華邦表示,手機的功能日新月異,新的功能陸續的推出,如彩色圖片瀏覽、 JAVA 遊戲下載、數位相機模組搭載…等,使得手機的記憶體中的 RAM Buffer 需要量大增。為因應大量低功耗記憶體之需要,華邦推出兩大系列行動記憶體產品--低功耗動態記憶體及虛擬靜態記憶體。

近年來手機市場成長的主要動力,除了新一代 3G 傳輸標準之興起,行動商務化平台的運轉,及諸多影音多媒體技術的發展下,帶動了中高階機種換機潮的興起。為因應高效率高容量之記憶體需求,華邦2007年將陸續推出符合 JEDEC 標準 Low Power DRAM 規格之產品,產品涵蓋128Mb~512Mb。本次2007中國杭州國際電子信息博覽會所展出即為一系列容量512Mb之Low Power DRAM。

Pseudo SRAM部分,華邦的產品採取傳統 DRAM 為核心,介面則設計與傳統 SRAM 相容的架構。另外 Pseudo SRAM 設計了一個 on-chip refresh circuit來解決DRAM cell 之Refresh,以增加讀取速度並降低使用者在設計上的困擾。產品涵蓋16Mb~256Mb;本次所展出之256Mb PSRAM 為現今市場上容量最大之 PSRAM 之一(符合CellularRAM 2.0G之標準)。




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