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JEDEC討論DRAM標準 非揮發性記憶體成台下主角

上網時間: 2007年09月07日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:非揮發性記憶體  SSD  DRAM 

JEDEC標準組織日前在德國慕尼黑舉行的會議上,討論了有關改善一系列記憶體相關標準的問題;此外為在業界推廣快閃記憶體硬碟的應用,該組織並宣佈成立了新的固態硬碟委員會(Solid State Disk Committee)。

這個在JC-64標準下的新工作小組主席為來自三星(Samsung)的Mian Quddus。「固態硬碟(SSD)已經準備好邁向標準化了。」他表示,目前這個SSD組織已經擁有約60名成員,而SSD的標準化將以外形為重點,標準尺寸將在0.8~2.5吋之間。

SSD的介面、指令協議(command protocols)、電源供應和電源管理等都將是該工作小組關注的議題;而做為SSD主要成分的非揮發記憶體晶片也將進行標準化。未來工作小組除將定義其介面標準與指令協議,也將推出控制器與SSD主機板的參考設計。

JC-64標準的長期發展目標,目前是由來自三星歐洲分公司的Yves Leonhard所負責,包含稱為通用快閃記憶體(Universal Flash Storage,UFS)的介面。該組織總裁、來自美光(Micron)的Jim Cooke表示,UFS介面基本上可以支援任何非揮發性記憶體,包括相變化RAM、 FeRAM或MRAM等。

UFS的其它設計目標還包括實現至少2Gbps的資料傳輸速、低接腳數和低功耗。Cooke表示,整個標準化程序可望在2009年初完成。

實際上,非揮發性記憶體技術儼然是此次JEDEC會議的主要議題──儘管不是公開性的。一位不願透露姓名的與會人員表示:「幾乎99%的與會者都已投入非揮發性記憶體的開發,不過沒人會提起。」

DRAM標準其實才是本次JEDEC會議主題

針對正在改善中的DDR3標準,JEDEC的目標是進一步提高資料傳輸頻寬。JC42.3附屬委員會主席Todd Farell表示,該組織的目標是在2008年讓DDR3-1600實現25.6GB/s的頻寬;目前DDR3-1066的前端匯流排時脈週期支援17GB/s的頻寬。一個代號為JESD79-3A的單獨標準已經獲批准,將於九月份公佈。

此次系列會議的另一個議題是DDR4。JEDEC的Future DRAM任務小組組長Dong-yang Lee表示,該小組的目標是在降低功耗的同時提高性能和密度;未來DDR4的電壓將會從如今DDR3記憶體晶片中所用的1.5V降低到1.2V,而資料傳輸速率則將是DDR3的兩倍。同時,該任務小組的工程師還會努力降低成本。

GDDR5高性能繪圖記憶體標準也是此次會議的重點。與GDDR4相較,GDDR5的資料量是其兩倍,主要應用方向是遊戲機、專業P2P消費電子設備和串流運算(stream computing)。GDDR5任務小組主席、AMD的Joe Macri解釋:「實際上這是個很大的市場;將超級電腦運算(supercomputing)普及化。」

GDDR5晶片將具備一個內部誤差檢測協議(internal error detection protocol),它和如今記憶體中所用的ECC方案不同。這種晶片的設計功耗將為2W,資料傳輸速率5Gb/s;低功耗特徵使其在更低資料傳輸率下時脈速率更慢,當然功耗也就更低。

Macri表示,第一批GDDR5晶片樣品將於2008年問世,量產也將於2008年開始。

(參考原文:Non-volatile memory is the secret star at JEDEC meeting)

(Christoph Hammerschmidt)




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