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可整合RF前端 Jazz新推0.18微米平台服務

上網時間: 2007年10月23日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:0.18微米  RF前端  GaAs 

在十月上旬於德國慕尼黑舉行的European Microwave Week上,美國晶圓代工業者Jazz Semiconductor宣佈其0.18微米平台服務已正式上線。該公司表示,客戶能利用這種平台把整個RF前端整合在他們的晶片之中,免除昂貴的獨立GaAs前端。

Jazz業務與行銷副總裁Chuck Fox表示,該平台包括一種增強的RF CMOS製程、一種BiCMOS DMOS高壓製程,和一種SiGe BiCMOS高性能製程。此外,該公司亦可提供四種可選矽射頻模組,包括SOI、整合式被動元件、SiGe LNA製程技術、LDMOS和SiGe PA技術。

而由於在類比RF環境中,細部支援是至關重要的,Jazz也能提供這種支援。在支援各種技術的設計工具部分,Jazz則與Cadence保持密切的合作。

Fox表示:「我們想傳達的訊息是,如果客戶選擇把RF元件整合在晶片之中,他們就能夠節省多達50%的混合訊號產品成本。利用該製程就能夠生產高度整合的行動電話、WLAN和WiMAX晶片。潛在的客戶是IDM以及為他們的壟斷市場生產某種晶片的系統供應商。」

藉由新服務的提供,Jazz期望可協助晶片設計業者與製造商,因應市場對各種額外連結技術的需求,降低功耗與現有GaAs設計所帶來的成本。Fox指出,新的解決方案可整合功率放大器、收發器、天線切換器等RF電路於CMOS晶片中。

(參考原文: Silicon radio platform does away with GaAs frontends)

(Christoph Hammerschmidt)




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