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感測器/MEMS  

VTI發表整合MEMS與ASIC的新製造技術

上網時間: 2007年11月06日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:感測器  MEMS  ASIC 

歐洲low-g加速度感測器製造商VTI Technologies研發出一種新的製造技術,透過結合MEMSASIC技術,製造低成本、並可大量生產的感測器。這種方法保留了MEMES設備和ASIC在獨立晶圓上製造的優點,使這兩者的測試工作都在晶圓級整合之前進行。

根據這種Chip-on-MEMS製造技術,需將薄ASIC晶片嵌入到MEMS晶圓的適當位置上。MEMS晶圓採用了再分配和隔離層技術,在加入ASIC前用焊點對外連接,之後MEMS和ASIC晶片由鈍化層隔離。驗證組件面積為4mm2、高度低於1mm,這種新的整合技術可將MEMS設備的尺寸縮小到現在的1/3。

傳感技術的挑戰之一是將微機電系統與傳統的晶圓級電路結合在一起。在研發工作的第一階段,VTI已驗證了一種使用現有的生產技術來製造更小、成本更低的傳感設備的方法。在第二階段,VTI正在尋求新的製造技術,以便透過晶圓級整合技術讓更複雜的感測器也能獲得低成本大量生產和小型化的益處。

VTI目前轉向研發新的製造技術和加工製程,以便整合MEMS傳感元件與數個ASIC晶片,進而製造更複雜的傳感零組件。其目標是提供具有更多輸入/輸出功能的智慧傳感設備,如無線通訊。此項研究計劃將透過整合技術,在MEMS設備頂端疊加幾個厚約20μm的ASIC晶片。




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