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ST推出EMIF06-SD02F3高整合度SD卡介面晶片

上網時間: 2007年11月12日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:EMIF06-SD02F3  IPAD  記憶卡介面晶片 

意法半導體(ST)推出新款高整合度微型記憶卡介面晶片EMIF06-SD02F3,新產品採用主動和被動元件整合(IPAD)技術,內建可插拔SD記憶卡介面所需的五個基本功能,適用於具有SD介面的手機、GPS導航設備、數位相機等各種消費性和產業類產品。

新款覆晶封裝EMIF06-SD02F3記憶卡收發器整合了訊號調節、雙向電平轉換、ESD保護、EMI過濾單元和一個2.9V穩壓器。在一個單片內整合這些電路有助於提高系統的可靠性,同時比分離元件解決方案節省電路板空間75%以上。EMIF06-SD02F3佔用電路板面積不到7mm2,具有相同功能的分離元件解決方案需要大約30mm2,同時新產品還簡化了目標應用的產品設計和電路佈局。

該晶片符合標準和高速SD介面協議標準,以及MiniSD、MMC和uSD/TransFlash標準。新產品的特性包括一個先進的ESD保護電路、高效EMI過濾電路和上拉/下拉電阻,其中ESD保護電路用於保護外部的裸露的記憶卡插槽,EMI過濾電路用於防止射頻干擾數據線路,上拉和下拉電阻用於防止出現懸空的數據線路。

其卡側ESD保護電路符合嚴格的IEC61000-4-2的四級保護標準,即空氣放電15kV。EMI濾波器工作頻率800MHz到3GHz,在1GHz頻率下,衰減性能超過20dB。此外,該晶片還提供六個高速雙向電平轉換器,它們的工作頻率50MHz,典型傳播延遲3ns,能夠把2.9V的記憶卡連接到1.8V主處理器。1.5ns的通道間最大延遲差確保數據的一致性,並針對低功耗應用最佳化了驅動器,靜態斷態電路取得了1微安的好成績。

記憶卡的電源是由一個2.9V晶片上低壓降(LDO) CMOS穩壓器所提供,輸出電流200mA,輸入電壓範圍3.1V到5V。當200mA負載時,最大壓降100mV。新產品還提供一個切斷控制接腳,該接腳的導通時間很短,僅為30μs,這個特性有助於大幅降低產品的功耗,延長電池使用時間。穩壓器包括一個熱切斷、低壓鎖定和短路保護功能。EMIF06-SD02F3採用一個24焊球的微型無鉛封裝,焊球間距400μm,新產品現已投入量產。




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