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Toshiba與NEC將製程開發合作擴展至32奈米節點

上網時間: 2007年12月04日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:32奈米  半導體製程  聯合製造 

日本東芝(Toshiba)和NEC電子,宣佈已將雙方的半導體製程技術合作,擴展到32奈米(nm)節點;兩家公司並透露將建立聯合製造夥伴關係,目前正在計劃之中。

根據協議,東芝與NEC電子將合作開發32奈米節點的系統LSI製程技術,此外兩家公司預計在2008年就是否建立聯合製造夥伴關係做出最後決定。不過東芝和NEC電子並未透露交易細節。

自2006年以來,兩家公司一直在橫濱的東芝的高階微電子中心(Advanced Miroelectronics Center)合作開發45奈米製程技術。雙方也將在此一據點繼續開發32奈米製程,旨在加速產品開發速度和共擔開發成本。

為了在ASIC、遊戲機和其它產品領域保持領先地位,NEC電子最近推出了一種40奈米邏輯元件,包括一種嵌入式DRAM技術。該製程採用鉿(hafnium)高介電材料,以及矽化鎳(nickel-silicide)閘電極,計劃2009年在NEC位於Yamagata的12吋晶圓廠量產,並可能搭配氧化鋯(zirconium-oxide) DRAM電容器。

不過目前尚不清楚NEC該座12吋廠製程是否能夠延伸到32奈米節點;而看來東芝也有技術實力和財力新建一座12吋廠支援32奈米製程。而市場觀察家表示,如果東芝扮演主導者的角色,兩家公司有可能會為了32奈米或更先進製程節點建立新的晶圓廠。

拜NAND快閃記憶體之賜,東芝近來獲利豐厚;該公司並已在其位於日本Oita的晶圓廠量產45奈米邏輯製程。根據東芝半導體總裁暨執行長Shozo Saito透露,新製程主要是生產該公司自有的系統級晶片。

(參考原文:Toshiba, NEC devise 32-nm process -- in fab JV?)

(Mark LaPedus)




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