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Dow Corning與日商合推之新型光阻將用於簡化DRAM製程

上網時間: 2007年12月10日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:光阻  DRAM  蝕刻  記憶體 

Dow Corning與東京應用化學(Tokyo Ohka Kogyo)共同宣佈其合作開發的新型雙層光阻已獲得一家DRAM晶片製造商採用,將用來量產記憶體晶片。這種新型雙層光阻將Dow Corning矽聚合物用於成像層(imaging layer),以提供較佳的蝕刻選擇性。

光阻是一種經過光線照射後會變為可溶解或不可溶解的光敏材料,因此能透過後續的蝕刻製程將所選擇的部份移除。Dow Corning表示,將Dow Corning的矽聚合物加入東京應用化學的感光材料後,半導體製造商就能使用較薄的光阻層,以提高圖案解析度並可讓更小的電路圖案轉印到目標晶圓而不必擔心圖案失真問題。

藉由免除多層光阻製程所需的硬光罩層和相關製程步驟,此一新光阻可提供一套符合成本效益的微影製程解決方案。新光阻能同時適用於乾式(dry)和浸潤式微影製程,浸潤式微影是一種先進成像技術,正逐漸獲得45奈米及以下先進製程市場的廣泛接受。東京應用化學已成功利用新光阻在浸潤式微影環境製造出35奈米的導線/間距圖案。

Dow Corning電子與先進技術部行銷總監Tomonobu Noguchi表示,隨著晶片製造商逐漸瞭解這種新型矽晶注入式光阻的優點,我們與東京應用化學的合作也開始有了回報。這種突破性材料代表著一種全新類型的光阻,將有助於擴大193奈米微影製程的能力。

Dow Corning與東京應用化學自2002年起即展開合作開發協議,共同開發先進的矽基光微影材料。此一計劃結合了東京應用化學在先進微製程技術與光微影應用的專業知識,以及Dow Corning在材料創新領域與製造方面的能力,並透過東京應用化學位於日本神奈川縣的研發中心進行研發作業。




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