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Hittite新型被動GaAs MESFET I/Q混頻器

上網時間: 2007年12月28日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:混頻器  HMC620LC4  HMC620s 

Hittite Microwave發表兩款用於頻率範圍3~7GHz的點對點無線電、WiMAX基礎設備、測試裝置和軍事應用的被動GaAs MESFET I/Q混頻器

HMC620LC4是一個可在3~7GHz頻率範圍內提供32dB鏡像抑制、43dB LO至RF隔離度以及+22dBm穩定輸入IP3性能的被動I/Q混頻器/IRM。該款雙平衡混頻器IC可確保出色的振幅和相位平衡,同時將變頻損耗限制在標稱值8dB。

HMC620則是一個工作頻率範圍相同的緊密型晶片混頻器,可提供33dB的鏡像抑制、45dB的LO至RF隔離度以及+23dBm的輸入IP3性能。這兩款混頻器都具有DC~3.5GHz的出色中頻頻寬,可以作為鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。

HMC620LC4採用符合RoHS指令的4×4mm表面黏著封裝,指定的工作溫度範圍為-40℃~+85℃。HMC620晶片可提供混合MIC和MCM組裝方式,指定的工作溫度範圍為-55℃~+85℃。




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