Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 射頻/無線
 
 
射頻/無線  

ABI:未來四年RF功率半導體市場將大幅成長

上網時間: 2008年01月08日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:RF  功率半導體  無線基礎設備 

根據市場研究公司ABI的最新預測報告指出,未來四年高功率RF半導體市場將出現大幅成長,但無線基礎設備業務不會像現在這樣明顯佔據主導地位。

預測高功率RF市場的營業額到2012年將接近10億美元,但ABI研究主管Lance Wilson表示:「多年來該市場一直處於無線基礎設備業務的陰影之下。現在,新的3G/蜂巢式無線基礎設備部署活動正減少,於是開始有了關於該產業其它領域表現情況的少量資訊。」

Wilson暗示,高功率RF半導體產業未來五年的發展將取決於三個關鍵問題:「在製造層面,氮化鎵(gallium nitride)和碳化矽(silicon carbide) RF功率元件的導入,是否意味著Si LDMOS的死亡?行動/3G基礎設備市場處於下滑態勢,是否還會像過去那樣繼續驅動RF功率半導體產業?無線基礎設備以外的市場領域是否能支撐該市場?」

ABI的一個研究小組最近剛完成的一份報告回答了這些問題,指出未來RF功率半導體的功率輸出將超過5W,作業頻率範圍則在3.8GHz以下。此外該報告將RF功率半導體市場分為六個主要應用領域:無線基礎設備、軍事、ISM (工業、科學與醫療)、廣播、商業航太、非蜂巢式通訊。

除以上六大主要應用領域,該報告還細分了RF功率半導體的24個次要應用領域,暗示無線基礎設備未來幾年對於供應商的重要性將下降。

(參考原文:RF power semis market set for growth, changes)

(John Walko)




投票數:   加入我的最愛
我來評論 - ABI:未來四年RF功率半導體市場將大幅...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首