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Numonyx計劃委託Hynix與茂德生產DRAM

上網時間: 2008年04月15日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:轉移  記憶體子系統 

新成立的記憶體供應商Numonyx日前表示,計劃把其DRAM生產從現有供應商轉移給海力士(Hynix Semiconductor)和茂德(ProMOS Technologies)。此一行動是該公司策略的一部份,目的是將多技術多層(multi-technology multi-die memory)記憶體子系統推向嵌入式設備和無線手持式設備領域。

Numonyx技術長Ed Doller表示,對於任何進入嵌入式快閃記憶體市場的供應商來說,具備增加各類RAM的能力至關重要,甚至可以透過記憶體晶圓代工廠商或者與任一家主要DRAM廠建立合作關係。

一直以來,DRAM和快閃記憶體製造商之間都在搶奪主要的手機廠商客戶,通常當IDM能製造兩種記憶體類型時,可以獲得市場優勢。Doller表示:「RAM策略非常需要,通常客戶都是選擇NOR-RAM堆疊或是NAND-RAM堆疊方案,因此提升競爭力的唯一方式,就是取得較市場價格低的RAM。」

Doller補充,Numonyx與Hynix在中國無錫建有合資企業,同時生產DRAM和NAND快閃記憶體。他並指出,Numonyx也繼承其母公司意法半導體(ST)的獨家DRAM設計:「ST設計低密度pseudo-static RAM和同步DRAM。我們將委託茂德代工製造。」

此外Doller補充:「我們計劃把將RAM技術轉移給Hynix和茂德。」不過他並未透露是將把該公司何處的生產線移走。

(參考原文:Numonyx to move DRAM production to Hynix, ProMOS)

(Peter Clarke)





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