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Renesas發表全新64Mb/32Mb低功耗SRAM系列產品

上網時間: 2008年04月17日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:R1WV6416R  R1LV3216R  LPSRAM 

瑞薩科技(Renesas Technology)開發號稱目前最高容量的64M低功耗SRAM (LPSRAM) R1WV6416R系列,以及小尺寸的32Mb LPSRAM產品R1LV3216R系列。32Mb產品的樣品將於2008年4月開始在日本提供,64Mb產品的樣品提供時間為7月份。

這兩個新系列將進一步擴展瑞薩科技採用專有儲存單元技術,實現更小晶片尺寸和無軟錯的先進LPSRAM產品的陣容。兩個系列將以不同的封裝和不同的規格(例如存取時間)供貨。總共12款64 Mb產品和8款32 Mb產品可以滿足包括產業、辦公設備、消費性電子產品、汽車系統和通訊設備等領域的各種需求。

新型64 Mb低功耗SRAM的每款產品,都是在一個封裝中整合了兩個小型32 Mb先進LPSRAM晶片的堆疊,實現了最高的容量。這些元件可以滿足高性能系統的大容量低功耗SRAM需求,同時滿足以前需要多個低功耗SRAM元件才能實現的應用對減少空間的要求。

為了滿足各種應用需求,這兩個新系列採用了幾種不同的封裝:TSOP I(48接腳)、μTSOP (52接腳),而64 Mb產品還有FBGA(48焊球)封裝。TSOP I和μTSOP封裝與以前的16 Mb產品尺寸相同,而FBGA封裝的焊球佈局則為訊號接腳相容。這將有助於客戶在繼續使用其現有佈局設計時增加儲存容量。

先進LPSRAM採用一種堆疊電容器儲存單元結構,這是DRAM元件中證明成功的一種方法。它實際上可以消除alpha輻射或高能量中子輻射所引起的軟錯,這可能是超精細SRAM存在的一個問題。此外,這種儲存單元結構還可以避免寄生可控矽(parasitic thyristor)的問題,它可能產生寄生電流流動並導致鎖定。消除軟錯而實現可靠性。





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